近日，我校物理与电子工程学院宽带隙半导体材料与器件课题组师生以快乐8为第一单位在Top期刊《Applied Surface Science》（中科院分区大类一区，JCR 1区，影响因子IF=7.392）上发表研究成果：“Catalyst-Free β-Ga₂O₃@a-Ga₂O₃Core−Shell Nanorod Arrays Grown on Si substrate for High-performance self-powered solar-blind photoelectrochemical photodetection”，物理与电子工程学院物理系本科生冯雨为第一作者，张红博士、李泓霖副教授和李万俊教授为共同通讯作者。

日盲深紫外光电探测器（PDs）由于具有低背景信号的天然优势，在“火灾报警、安全通信、导弹跟踪和环境监测”等民用和军事领域有着巨大的应用前景。然而，传统的光电探测器通常需要外部电源来实现高性能，这阻碍了其在无线监测和传感中的应用。因此，寻找低成本、高性能、自供电的日盲紫外光电探测器是实现下一代节能、可持续的集成光电系统的关键。

本研究成果基于新型超宽带半导体Ga₂O₃材料，利用无催化剂的化学气相沉积（CVD）生长技术，首次在易集成的Si衬底上构筑了β-Ga₂O₃@a-Ga₂O₃核−壳纳米棒阵列，开发出无光刻工艺、低成本的新型光电化学（PEC）型自供电日盲紫外光电探测器件。该器件的响应率高达48.4 mA/W，探测度为8.5×10¹¹Jones，响应和恢复时间较快，性能处于国际领先水平。本研究为构建基于超宽带半导体Ga₂O₃材料的高性能、高稳定性、低成本的新型光电化学型日盲紫外光电探测器提供了一种简单可行的途径。

近年来，物理与电子工程学院宽带隙半导体材料与器件课题组在本科生学术培养方面取得一定成绩，课题组本科生以第一作者在Applied Surface Science、Journal of Materials Chemistry C、Thin Solid Films、Journal of Materials Science、Optical Materials Express、物理学报、发光学报等国内外期刊上共发表11篇学术论文。

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